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SiS468DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
48
36
V GS = 10 V thru 5 V
60
48
36
24
12
V GS = 4 V
24
12
T C = 25 ° C
0
V GS = 3 V
0
T C = 125 ° C
T C = - 55 ° C
0
1 2 3 4
5
0.0
1.4
2.8
4.2
5.6
7.0
0.070
0.056
0.042
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1200
960
720
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.028
V GS = 4.5 V
480
C oss
V GS = 7.5 V
0.014
V GS = 10 V
240
C rss
0
0
12
24
36
48
60
0
0
16
32
48
64
80
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
6
I D = 10 A
V DS = 40 V
1.7
1.4
I D = 10 A
V GS = 10 V
4
V DS = 30 V
V DS = 50 V
1.1
V GS = 4.5 V
2
0.8
0
0
4
8 12 16
20
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63750
S12-0542-Rev. A, 12-Mar-12
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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